SSM3J111TU(TE85L)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1A UFM
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：1A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：480 毫歐 @ 300mA，4V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 100µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：160pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：UFM（2.0x2.1）
