SQJ941EP-T1-GE3
PDF資料下載

SQJ941EP-T1-GE3參數(shù)：MOSFET DUAL P-CH 30V PPAK 8SOIC

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：8A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：55nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1800pF @ 10V
功率 - 最大值：55W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SO-8 雙
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? SO-8 Dual