SQ3418EEV-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： SQSeriesPowerMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：40V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：32毫歐@5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：11nC@20V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：660pF@25V功率-最大值：5W安裝類型：表面貼裝封裝：SC-74，SOT-457供應(yīng)商器件封裝：6-TSOP
