SPU08P06P
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SPU08P06P參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 8.83A TO-251

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation15/Apr/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500
系列：SIPMOS®
包裝：管件
FET類(lèi)型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：8.83A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：300毫歐@6.2A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：420pF@25V
功率-最大值：42W
安裝類(lèi)型：通孔
封裝：TO-251-3長(zhǎng)引線(xiàn)，IPak，TO-251AB
供應(yīng)商器件封裝：P-TO251-3