SPI21N10參數：MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
類別：分立半導體產品-FET - 單產品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008標準包裝：50系列：SIPMOS®包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：21A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：80毫歐@15A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@44µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：38.4nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：865pF@25V功率-最大值：90W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應商器件封裝：PG-TO262-3
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