SIS435DNT-T1-GE3
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SIS435DNT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 22A 1212-8

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：22A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.4 毫歐 @ 13A， 4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：180nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 10V
功率 - 最大值：3.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK 1212-8
供應商器件封裝：PowerPAK? 1212-8