SI1988DH-T1-E3
PDF資料下載

SI1988DH-T1-E3參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：168 毫歐 @ 1.4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.1nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：110pF @ 10V
功率 - 最大值：740mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝：SC-70-6