SH8M4TB1
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SH8M4TB1參數：MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
產品培訓模塊： MOSFETs
產品目錄繪圖： RRS,RSSSeries8-SOP,8-SOIC
特色產品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：N和P溝道
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：9A，7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：18毫歐@9A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1190pF@10V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOICN