RSQ030P03TR
PDF資料下載

RSQ030P03TR參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： TSMT-6PackageTop
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：80毫歐@3A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：6nC@5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：440pF@10V
功率-最大值：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-23-6細(xì)型，TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：TSMT6