RSD200N10TL
PDF資料下載

RSD200N10TL參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 20A CPT3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： CPT-3,D-PAKSeries
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：20A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：52毫歐@10A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：48.5nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2200pF@25V
功率-最大值：20W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：CPT3