PSMN3R8-30LL,115
PDF資料下載

PSMN3R8-30LL,115參數：MOSFET N-CH 30V QFN3333

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1,400
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：40A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.15V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2085pF @ 15V
功率 - 最大值：69W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-VDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝：8-DFN3333（3.3x3.3）