NTR4101PT1G
PDF資料下載

NTR4101PT1G參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： PossibleAdhesionIssue11/July/2008 WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.8A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：85毫歐@1.6A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：8.5nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：675pF@10V
功率-最大值：420mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）