NTMD6N04R2G
PDF資料下載

NTMD6N04R2G參數：MOSFET N-CH DUAL 40V 4.6A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
產品變化通告： WireChange20/Aug/2008 ReactivationNotice28/Jun/2011
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：34毫歐@5.8A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：900pF@32V
功率-最大值：1.29W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOICN