NSM21156DW6T1G參數：TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363
類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式產品變化通告： ProductObsolescence19/Dec/2008標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)晶體管類型：1NPN預偏壓式，1PNP電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA電壓-集射極擊穿（最大值）：50V，65V電阻器-基底(R1)(Ω)：10k電阻器-發射極基底(R2)(Ω)：10k不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：35@5mA，10V/220@2mA，5V不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：250mV@300µA，10mA/300mV@500µA，10mA電流-集電極截止（最大值）：500nA頻率-躍遷：-功率-最大值：230mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供應商器件封裝：SOT-363
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