IXTU01N100D
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IXTU01N100D參數：MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：75
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：耗盡模式
漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：100mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：80 歐姆 @ 50mA，0V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 25µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：120pF @ 25V
功率 - 最大值：1.1W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
供應商器件封裝：TO-251