IXTT20N50D參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：30系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：耗盡模式漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：20A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：330 毫歐 @ 10A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：125nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2500pF @ 25V功率 - 最大值：400W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA供應(yīng)商器件封裝：TO-268