IXTT16N10D2
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IXTT16N10D2參數：MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：30
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：耗盡模式
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：16A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：64 毫歐 @ 8A，0V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：225nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 25V
功率 - 最大值：830W
安裝類型：通孔
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商器件封裝：TO-268