IXT-1-1N100S1-TR參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：1000V（1kV）電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：1.5A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：-不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：8-SOIC供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
