IXFN82N60Q3
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IXFN82N60Q3參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

類別：半導體模塊-FET
標準包裝：10
系列：HiPerFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：66A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：75 毫歐 @ 41A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：275nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：13500pF @ 25V
功率 - 最大值：960W
安裝類型：底座安裝
封裝：SOT-227-4，miniBLOC
供應商器件封裝：SOT-227B