IXDI602SITR
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IXDI602SITR參數(shù)：2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT

類別：集成電路 (IC)-PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
配置：低端
輸入類型：反相
延遲時間：35ns
電流 - 峰值：2A
配置數(shù)：2
輸出數(shù)：2
高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：-
電壓 - 電源：4.5 V ~ 35 V
工作溫度：-40°C ~ 125°C
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC-EP