IRF7105TRPBF參數(shù):MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000系列:HEXFET®包裝:帶卷(TR)FET類型:N和P溝道FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):25V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):3.5A,2.3A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):100毫歐@1A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):27nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):330pF@15V功率-最大值:2W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SO