IRF7103PBF
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IRF7103PBF參數(shù)：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
標準包裝：95
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：50V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：130毫歐@3A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：290pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO