IRF6810STRPBF參數(shù)：MOSFET N CH 25V 16A S1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設(shè)計(jì)資源： IRF6810STR1PBFSaberModel IRF6810STR1PBFSpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,800系列：DirectFET®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：25V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：16A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.2毫歐@16A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.1V@25µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：11nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1038pF@13V功率-最大值：2.1W安裝類型：表面貼裝封裝：DirectFET?等容S1供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFETS1
