IRF6702M2DTR1PBF
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IRF6702M2DTR1PBF參數：MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：1,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：15A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6.6 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1380pF @ 15V
功率 - 最大值：2.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：DirectFET? 等容 MA
供應商器件封裝：DIRECTFET? MA