IRF6665TR1參數(shù):MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單設(shè)計(jì)資源: IRF6655TR1PBFSaberModel IRF6655TR1PBFSpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):100V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):4.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):62毫歐@5A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):530pF@25V功率-最大值:2.2W安裝類型:表面貼裝封裝:DirectFET?等容SH供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET?SH