IRF6602參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： DirectFETMOSFET4PsChecklist標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：HEXFET®包裝：剪切帶(CT)FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：11A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：13毫歐@11A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：18nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1420pF@10V功率-最大值：2.3W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：DirectFET?等容MQ供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET?MQ
