IRF640參數：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：50系列：MESH OVERLAY™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：18A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1560pF @ 25V功率 - 最大值：125W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應商器件封裝：TO-220AB
