IRF5801TRPBF
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IRF5801TRPBF參數：MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設計資源： IRF5801TRPBFSaberModel IRF5801TRPBFSpiceModel
標準包裝：3,000
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：200V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：600mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.2歐姆@360mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.9nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：88pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSOP（0.059"，1.50mm寬）
供應商器件封裝：Micro6?（TSOP-6）