IRF3711PBF
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IRF3711PBF參數：MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設計資源： IRF3711SaberModel IRF3711SpiceModel
標準包裝：50
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：110A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6毫歐@15A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：44nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2980pF@10V
功率-最大值：3.1W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220AB