IRF2903ZLPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 75A TO-262
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)設(shè)計資源： IRF2903ZLPBFSaberModel IRF2903ZLPBFSpiceModel標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：HEXFET®包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：75A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.4毫歐@75A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@150µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：240nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6320pF@25V功率-最大值：231W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：TO-262
