IRF1010NSTRRPBF
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IRF1010NSTRRPBF參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageIntegratedCircuits(HVICGateDrivers)
設(shè)計(jì)資源： IRF1010NSSaberModel IRF1010NSSpiceModel
標(biāo)準(zhǔn)包裝：800
系列：HEXFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：85A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：11毫歐@43A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：120nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：3210pF@25V
功率-最大值：180W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線(xiàn)+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK