HTNFET-D
PDF資料下載

HTNFET-D參數(shù)：MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：HTMOS™
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：-
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 100mA，5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.3nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：290pF @ 28V
功率 - 最大值：50W
安裝類型：通孔
封裝：8-CDIP 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-CDIP-EP