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FQU2N100TU參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：70系列：QFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：1000V（1kV）電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：9歐姆@800mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：520pF@25V功率-最大值：2.5W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
