FQU1N50TU參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,040系列：QFET™包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：500V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.1A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9 歐姆 @ 550mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：5.5nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：150pF @ 25V功率 - 最大值：2.5W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
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