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FQB33N10LTM參數：MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標準包裝：800系列：QFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：33A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：52毫歐@16.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：40nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1630pF@25V功率-最大值：3.75W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：TO-263-2
FAIRCTO-263(D2PAK)2023+7209全新原廠原裝現貨
