FDT439N
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FDT439N參數：MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅動
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：6.3A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：45毫歐@6.3A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：500pF@15V
功率-最大值：1.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：SOT-223-3