FDS7096N3
PDF資料下載

FDS7096N3參數：MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
PCNObsolescence： MultipleDevices03/Dec/2009
PCNDesign/Specification： MoldCompound27/March/2008
標準包裝：2,500
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：14A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：9毫歐@14A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：22nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1587pF@15V
功率-最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOICN