FDS3692參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 4.5A SO-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessingPCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：PowerTrench®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：60毫歐@4.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：746pF@25V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：SO-8
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