FDMS6681Z
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FDMS6681Z參數：MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： Materials14/Apr/2009
標準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：21.1A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.2毫歐@22.1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：241nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：10380pF@15V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PQFN，Power56
供應商器件封裝：Power56