FDMS3660S
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FDMS3660S參數(shù)：MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 N 溝道（雙）非對稱型
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：13A，30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1765pF @ 15V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerTDFN
供應商器件封裝：Power56