FDFMA3N109
PDF資料下載

FDFMA3N109參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：PowerTrench®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2.9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：123毫歐@2.9A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：220pF@15V
功率-最大值：650mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-WDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：6-MicroFET（2x2）