FDB6021P參數(shù):MOSFET P-CH 20V 28A TO-263AB
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單PCNObsolescence: MultipleDevices03/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:800系列:PowerTrench®包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):28A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):30毫歐@14A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1.5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):28nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1890pF@10V功率-最大值:37W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:TO-263AB