FDA18N50
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FDA18N50參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：UniFET™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：500V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：19A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：265 毫歐 @ 9.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2860pF @ 25V
功率 - 最大值：239W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3P-3，SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-3P