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FCA20N60S_F109參數(shù)：MOSFET N-CH 650V TO-3PN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：SuperFET™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：20A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：260毫歐@10A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：72nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2250pF@25V
功率-最大值：260W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3P-3，SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-3PN