FC6546010R參數：MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI6-F3
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12 歐姆 @ 10mA，4V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：12pF @ 3V功率 - 最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：6-SMD，扁平引線供應商器件封裝：SMini6-F3-B
