DMN65D8LFB-7B
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DMN65D8LFB-7B參數(shù)：MOSF N CH 60V 260MA 3DFN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：10,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：260mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 115mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：25pF @ 25V
功率 - 最大值：430mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：3-XFDFN
供應(yīng)商器件封裝：3-DFN1006（1.0x0.6）