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DI9945T參數：MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
其它圖紙： SO-8PackageTop SO-8PackageSide1 SO-8PackageSide2
標準包裝：1
系列：-
包裝：剪切帶(CT)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：3.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：100毫歐@3.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：435pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOP