CSD18501Q5A參數：MOSFET N-CH 40V 8SON
類別：分立半導體產品-FET - 單設計資源： CreateyourpowerdesignnowwithTI’sWEBENCH?Designer標準包裝：2,500系列：NexFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：40V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：100A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.2毫歐@25A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：50nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3840pF@20V功率-最大值：3.1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應商器件封裝：8-SON（5x6）
