CMF20120D參數(shù)：SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單應(yīng)用說(shuō)明： SiCMOSFETIsolatedGateDriver產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： 1200VSiCMosfetOverview視頻文件： Cree'sSiliconCarbideMosfets--AnotherGeekMoment標(biāo)準(zhǔn)包裝：30系列：Z-FET™包裝：管件FET類型：SiCFETN通道，碳化硅FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：1200V（1.2kV）電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：33A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：110毫歐@20A，20V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：90.8nC@20V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1915pF@800V功率-最大值：150W安裝類型：通孔封裝：TO-247-3供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3