BSS123LT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：170mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：6歐姆@100mA，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.8V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：20pF@25V功率-最大值：225mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
